合肥太阳能单晶电池片多少钱一片回收

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太阳能电池如何制作

工业制作硅电池所用的单晶硅材料，一般采用坩锅直拉法制的太阳级单晶硅棒，原始的形状为圆柱形，然后切割

成方形硅片（或多晶方形硅片），硅片的边长一般为10~15cm，厚度约200~350um，

2、 去除损伤层： 硅片在切割过程会产生大量的表面缺陷，这就会产生两个问题，首先表面的质量较差，另外

这些表面缺陷会在电池制造过程中导致碎片增多。因此要将切割损伤层去除，一般采用碱或酸腐蚀，腐蚀的厚

度约10um。

制绒，就是把相对光滑的原材料硅片的表面通过酸或碱腐蚀，使其凸凹不平，变得粗糙，形成漫反射，减少直

射到硅片表面的太阳能的损失。对于单晶硅来说一般采用NaOH加醇的方法腐蚀，利用单晶硅的各向异性腐蚀

，在表面形成无数的金字塔结构，碱液的温度约80度，浓度约1~2%，腐蚀时间约15分钟。对于多晶来说，一

般采用酸法腐蚀。

4、 扩散制结： 扩散的目的在于形成PN结。普遍采用磷做n型掺杂。由于固态扩散需要很高的温度，因此在扩

散前硅片表面的洁净非常重要，要求硅片在制绒后要进行清洗，即用酸来中和硅片表面的碱残留和金属杂质。

扩散过程中，在硅片的周边表面也形成了扩散层。周边扩散层使电池的上下电极形 成短路环，必须将它除去。

周边上存在任何微小的局部短路都会使电池并联电阻下降，以至成为废品。目前，工业化生产用等离子干法腐

蚀，在辉光放电条件下通过氟和氧交替对硅作用，去除含有扩散层的周边。 扩散后清洗的目的是去除扩散过程

中形成的磷硅玻璃。

6、 沉积减反射层： 沉积减反射层的目的在于减少表面反射，增加折射率。广泛使用PECVD淀积SiN ，由于PE

CVD淀积SiN时，不光是生长SiN作为减反射膜，同时生成了大量的原子氢，这些氢原子能对多晶硅片具有表面

钝化和体钝化的双重作用，可用于大批量生产。

7、 丝网印刷上下电极： 电极的制备是太阳电池制备过程中一个至关重要的步骤，它不仅决定了发射区的结构

，而且也决定了电池的串联电阻和电池表面被金属覆盖的面积。较早采用真空蒸镀或化学电镀技术，而现在普

遍采用丝网印刷法，即通过特殊的印刷机和模版将银浆铝浆（银铝浆）印刷在太阳电池的正背面，以形成正负

电极引线。

8、共烧形成金属接触： 晶体硅太阳电池要通过三次印刷金属浆料，传统工艺要用二次烧结才能形成良好的带

有金属电极欧姆接触，共烧工艺只需一次烧结，同时形成上下电极的欧姆接触。在太阳电池丝网印刷电极制作

中，通常采用链式烧结炉进行快速烧结。

9、 电池片测试： 完成的电池片经过测试分档进行归类。

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